现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，只有在旧颗粒上才能找到原来的HYUNDAI标志。因为新旧产品混杂，在编号上稍为混乱，但仍然有规律可循。其内存颗粒编号形式如下：
HY <12> <3> <456> <78> <9> <10> <11> <12> <13、14> <15、16> <17>，其中具体编号含义为：
HY代表现代的产品；

<12>表示芯片类型，其中57=SDRAM，5D=DDR SDRAM，5P=DDR Ⅱ；
<3>代表工作电压，其中V=3.3V?U=2.5V，S=1.8V；
<456>代表容量和刷新速度，其中旧编号16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref；最新编号缩减为两位：64=64Mbits、4K Ref，66=64Mbits、2K Ref，28=128Mbits、4K Ref，56=256Mbits、8K Ref，12=512Mbits、8K Ref，1G=1Gbits、84K Ref；
<78>代表数据位宽，其中旧编号以40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位；新编号以4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位；
<9>代表Bank数目，以1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank；
<10>代表接口，其中旧编号以0、1、2分别代表LVTTL、SSTL、SSTL2接口；新编号以1、2、3分别代表SSTL_3、SSTL_2和SSTL_18接口；
<11>代表内核版本，可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新，
<12>代表功耗，一般为空白和L，其中空白=普通芯片，L=低功耗芯片；
<13、14>代表封装形式；
<15、16>代表速度，其中5=5ns（200MHz），55=5.5ns（183MHz），6=6ns（166MHz），7=7ns（143MHz），75=7.5ns（133MHz），新编号中加入了D4=DDR400，D5=DDR533等；
<17>代表温度，其中I=Industrial Temperature，E=Extended Temperature。